2013年03月14日
新登場!SiCショットキーダイオード「CREE C3D06060A」が入荷!
(2013.04.03 UPDATE)
CREEのパワーデバイス、次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド = 炭化ケイ素)を使用したショットキーダイオードが入荷しましたのでご紹介します。
CREE SiCショットキーダイオード「C3D06060A」 販売価格:¥630-


SiCショットキーダイオードは、高耐圧化、高効率、ゼロリカバリ、高速・低損失、低発熱で放熱器を削減可能といった、従来のシリコンショットキーダイオードより優れた特徴を持っています。
【主な仕様】
・逆方向電圧(VRRM) = 600V
・順方向電流(IF) = 6A(AVG.)
・容量性電荷(Qc) = 16nC(Typ.)
・順方向電圧(VF) = 1.6V(IF = 6A TJ = 25°C)
・ゼロリカバリー
・パッケージ:TO-220-2
DATASHEET
◆用途
・スイッチング電源
・PFC(力率改善)回路
・モータードライブ等
SiC半導体はシリコン半導体より多方面で優れた特徴をもっており、各社がダイオードやFETなどリリースしてきております。技術の応用で、これから様々な半導体に用いられてくると思いますので、今後に期待したいと思います。
あると便利なTO-220用サブ基板


実験などで端子の引き出しに便利なTO-220用サブ基板がございます。
詳しくはBlog記事をご覧ください。
▼SiCショットキーダイオード「C3D06060A」は
▼レジカウンターにて販売しております!

(2013.04.03追記)
共立エレショップに登録しましたので通販ご希望の方はご利用ください
SiCショットキーダイオード 6A / C3D06060A
CREEのパワーデバイス、次世代半導体のSiC(シリコン カーバイド = 炭化ケイ素)を使用したショットキーダイオードが入荷しましたのでご紹介します。
CREE SiCショットキーダイオード「C3D06060A」 販売価格:¥630-


SiCショットキーダイオードは、高耐圧化、高効率、ゼロリカバリ、高速・低損失、低発熱で放熱器を削減可能といった、従来のシリコンショットキーダイオードより優れた特徴を持っています。
【主な仕様】
・逆方向電圧(VRRM) = 600V
・順方向電流(IF) = 6A(AVG.)
・容量性電荷(Qc) = 16nC(Typ.)
・順方向電圧(VF) = 1.6V(IF = 6A TJ = 25°C)
・ゼロリカバリー
・パッケージ:TO-220-2
DATASHEET
◆用途
・スイッチング電源
・PFC(力率改善)回路
・モータードライブ等
SiC半導体はシリコン半導体より多方面で優れた特徴をもっており、各社がダイオードやFETなどリリースしてきております。技術の応用で、これから様々な半導体に用いられてくると思いますので、今後に期待したいと思います。
あると便利なTO-220用サブ基板


実験などで端子の引き出しに便利なTO-220用サブ基板がございます。
詳しくはBlog記事をご覧ください。
▼SiCショットキーダイオード「C3D06060A」は
▼レジカウンターにて販売しております!

(2013.04.03追記)
共立エレショップに登録しましたので通販ご希望の方はご利用ください
SiCショットキーダイオード 6A / C3D06060A